LatticeXP2器件将闪存和SRAM结合在一块芯片上，为用户提供器件编程和配置的灵活性。下图显示了闪存和SRAM配置单元在一个器件内的布局概况。
上电时或根据用户指令，数据从片上闪存传到SRAM配置单元，从而控制器件工作。这是通过大量并行总线使得器件各部分的电压在几微秒内达到有效电平来实现的；该功能称为瞬时上电。
片上闪存实现了单芯片解决方案，因为不需要外部的引导存储器，从而减小了解决方案的电路布局面积。单裸片可以实现比目前交付使用的混合堆叠裸片的封装方法更小的封装。
3K左右LUT的混合非易失性器件和5K LUT的真正的非易失性器件
器件的FlashBAK功能可以使EBR块的内容写回闪存存储区域，但不会擦除或对器件配置的其它部分进行重新编程。
串行存储器可用于小量数据的存储，如：校准系数和错误代码。
| 器件 | TAG存储器（位） |
|---|---|
| XP2-5 | 632 |
| XP2-8 | 768 |
| XP2-17 | 2186 |
| XP2-30 | 2640 |
| XP2-40 | 3384 |
对于应用而言，安全是很重要的，没有了外部的比特流从本质上提供了一个比仅有SRAM的FPGA更安全的解决方案。除此之外还有三个特性，进一步加强了这一解决方案本身的安全性：
