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存储器接口

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莱迪思提供了多种用于最新存储器技术的高性能接口解决方案。这些解决方案将创新的硅片与知识产权（IP）核结合在一起，提供了针对网络应用的强大的解决方案。

特点

LatticeSC FPGA器件提供全能的嵌入式高速存储控制器，支持 DDRI/II SDRAM、 QDR SRAM 和 RLDRAM 存储器件。
LatticeEC/ECP/XP/XP2/ECP2/M FPGA器件提供了专用的资源用于对齐DQ和DQS信号，多路合成/多路分解双数据速率,以及从DQS时钟域到系统时钟域转换数据。
Lattice ORSPI4 FPSC含有一个嵌入式的QDR II存储器接口，可提供20+ Gbps带宽的至FPGA的简单的FIFO接口。
通过ispLeverCORE项目，莱迪思提供多种用于时尚存储器接口的IP核及其参考设计。

存储器接口标准、IP及参考设计
存储器标准	I/O标准	最高时钟速率	数据率	硬IP	软IP	参考设计
DDR SDRAM	SSTL 2.5V	200 MHz¹	400 Mbps²	LatticeSC DDR/DDR2 SDRAM MACO控制器	DDR SDRAM控制器 - 流水线技术/非流水线技术	DDR SDRAM控制器
DDR2 SDRAM	SSTL 1.8V	333 MHz¹	667 Mbps²	LatticeSC DDR/DDR2 SDRAM MACO控制器	DDR2 SDRAM控制器 - 流水线技术
QDR I/II/II+ SRAM	HSTL 1.8V or 1.5V	350 MHz	700 Mbps	LatticeSC QDR MACO控制器		QDR存储控制器
RLDRAM I/II	HSTL 1.8V	800 Mbps	400 MHz	LatticeSC RLDRAM MACO控制器

¹ 对于LatticeXP2而言，DDR1/2 SDRAM的时钟频率为200 MHz，管脚容量为400 Mbps
² 对于LatticeXP而言，DDR1/2 SDRAM的时钟频率为166 MHz，管脚容量为333 Mbps

阅读更多：

Lattice支持下列存储器供应商

Micron, Inc.	www.micron.com
Qimonda	www.qimonda.com
Samsung	www.samsung.com

网络应用中的存储器

在网络及通信应用中，从简单的地址查找、流量整形/管理到缓冲器管理，都需要大型、高速的存储芯片。图1展示了一个典型的网络结构。在10 Gbps速率下，典型的1000:1读写比的地址查找可以用数据率（DDR）SRAM来方便地处理。连接表管理、流量整形以及统计数据收集通常为1:1的读写比，需要更高性能的四数据率（QDR）SRAM。另一方面，更大的缓冲存储器通常在DDR SDRAM（同步DRAM）中实现。在更快的数据传送情况下，用与处理器时钟同步的SDRAM存储器来替代DRAM。

图1: 一个典型网络应用中的存储器

近来，另一个新的挑战者登上了高性能存储器舞台。低延迟动态随机存取内存（RLDRAM）提供了SRAM类型的接口，非多路复用的地址。RLDRAM技术提供了最小的延迟并且减少了行周期时间，非常适用于要求临界响应时间和超高速随机访问的应用，诸如下一代（10 Gbps或更高）的网络应用。

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